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離子研磨儀在半導(dǎo)體失效分析中的應(yīng)用案例分享
發(fā)布時間：2022/3/17 16:46:32      

失效分析是對于電子元件失效原因進(jìn)行診斷，在進(jìn)行失效分析的過程中，往往需要借助儀器設(shè)備，以及化學(xué)類手段進(jìn)行分析，以確認(rèn)失效模式，判斷失效原因，研究失效機(jī)理，提出改善預(yù)防措施。其方法可以分為有損分析，無損分析，物理分析，化學(xué)分析等。其中在進(jìn)行微觀形貌檢測的時候，尤其是需要觀察斷面或者內(nèi)部結(jié)構(gòu)時，需要用到離子研磨儀+掃描電鏡結(jié)合法，來進(jìn)行失效分析研究。
離子研磨儀目前是普遍使用的制樣工具，可以進(jìn)行不同角度的剖面切削以及表面的拋光和清潔處理，以制備出適合半導(dǎo)體故障分析的 SEM 用樣品。

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離子研磨儀

TECHNOORG LINDA

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掃描電鏡

Phenom SEM

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離子研磨儀的基本原理


晶片失效分析思路和方法

案例分享 1


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優(yōu)先判斷失效的位置

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鎖定失效分析位置后，決定進(jìn)行離子研磨儀進(jìn)行切割

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離子研磨儀中進(jìn)行切割

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切割后的樣品，放大觀察

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放大后發(fā)現(xiàn)故障位置左右不對稱

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進(jìn)一步放大后，發(fā)現(xiàn)故障位置擠壓變形，開裂，是造成失效的主要原因

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變形開裂位置

放大倍數(shù)：20,000x

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變形開裂位置

放大倍數(shù)：40,000x


IC封裝測試失效分析

案例分享 2


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對失效位置進(jìn)行切割

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離子研磨儀中進(jìn)行切割


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位置1. 放大后發(fā)現(xiàn)此處未連接。放大倍數(shù)：30,000x

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位置2. 放大后發(fā)現(xiàn)此處開裂。放大倍數(shù)：50,000x


PCB/PCBA失效分析

案例分享 3


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離子研磨儀

SC-2100

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  • 適用于離子束剖面切削、表面拋光

  • 可預(yù)設(shè)不同切削角度制備橫截面樣品

  • 可用于樣品拋光或最終階段的細(xì)拋和清潔

  • 超高能量離子槍用于快速拋光

  • 低能量離子槍適用后處理的表面無損細(xì)拋和清潔

  • 操作簡單，嵌入式計算機(jī)系統(tǒng)，全自動設(shè)定操作

  • 冷卻系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)化，應(yīng)用于多種類樣本

  • 高分辨率彩色相機(jī)實現(xiàn)實時監(jiān)控拋光過程




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